Справочник по стандартным
цифровым ТТЛ микросхемам
|
ВЖ1 = (630) - 16-разрядная схема
обнаружения и исправления ошибок
|
D0-D15 - входы/выходы данных;
CB0-CB5 - входы/выходы синдрома;
S0,S1 - входы управления;
SEF - флаг ошибки;
DEF - флаг некорректируемой ошибки.
Все выходы с тремя состояниями.
Схема использует модифицированный код Хэмминга, чтобы генерировать 6-битовый синдром для 16-разрядного слова. Одиночные ошибки схемой исправляются; двойные ошибки только обнаруживаются, ошибки типа всех нулей или всех единиц тоже обнаруживаются, тройные и большие ошибки могут быть не обнаружены. В случае двойной ошибки, оба бита могут быть в слове памяти, обе в слове синдрома, или по одному биту в слове памяти и слове синдрома. В течении цикла записи, схема формирует 6-разрядное проверочное слово из 16-разрядного слова данных. Коррекция ошибки выполняется идентификацией неправильного бита и инверсией его. Когда исправленное слово выдается из порта данных, из порта CBi выдается синдром, указывающий на неправильный бит.
Функции схемы исправления ошибок
Цикл памяти |
Управление S1 S0 |
Функция БИС | Шина данных | Шина синдрома | Флаги SEF DEF |
ЗАПИСЬ | L L | Генерировать контрольное слово | Входные данные | Выходное контрольное слово | L L |
ЧТЕНИЕ | L H | Читать данные и контрольное слово | Входные данные | Входное контрольное слово | L L |
ЧТЕНИЕ | H H | Защелкнуть и разрешить флаги | Защелкнутые данные | Защелкнутое контрольное слово | Разрешено |
ЧТЕНИЕ | H L | Корректировать данные и генерировать синдром | Выходные корректированные данные | Выходной синдром | Разрешено |
Полное число ошибок | Флаги ошибок | Исправление данных | ||
16-битовые данные | 6-битовое контрольное слово | SEF | DEF | |
0 | 0 | L | L | Не применимо |
1 | 0 | H | L | Коррекция |
0 | 1 | H | L | Коррекция |
1 | 1 | H | H | Прерывание |
2 | 0 | H | H | Прерывание |
0 | 2 | H | H | Прерывание |
Таблица синдромов ошибки
Ячейка ошибки | Код синдрома ошибки | |||||
CB0 | CB1 | CB2 | CB3 | CB4 | CB5 | |
D0 | L | L | H | L | H | H |
D1 | L | H | L | L | H | H |
D2 | H | L | L | L | H | H |
D3 | L | L | H | H | L | H |
D4 | L | H | L | H | L | H |
D5 | H | L | L | H | L | H |
D6 | H | L | H | L | L | H |
D7 | H | H | L | L | L | H |
D8 | L | L | H | H | H | L |
D9 | L | H | L | H | H | L |
D10 | L | H | H | L | H | L |
D11 | H | L | H | L | H | L |
D12 | H | H | L | L | H | L |
D13 | L | H | H | H | L | L |
D14 | H | L | H | H | L | L |
D15 | H | H | L | H | L | L |
CB0 | L | H | H | H | H | H |
CB1 | H | L | H | H | H | H |
CB2 | H | H | L | H | H | H |
CB3 | H | H | H | L | H | H |
CB4 | H | H | H | H | L | H |
CB5 | H | H | H | H | H | L |
Нет ошибки | H | H | H | H | H | H |
Контрольное | 16-разрядное слово данных | |||||||||||||||
слово | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
CB0 | * | * | * | * | * | * | * | * | ||||||||
CB1 | * | * | * | * | * | * | * | * | ||||||||
CB2 | * | * | * | * | * | * | * | * | ||||||||
CB3 | * | * | * | * | * | * | * | * | ||||||||
CB4 | * | * | * | * | * | * | * | * | ||||||||
CB5 | * | * | * | * | * | * | * | * |
Параметры | 54LS/74LS (533,555) |
54F/74F (1531) |
Выходной ток лог.1 для DEF, SEF, мА | 0.4 | 3 |
Выходной ток лог.0 для CB, DB, мА | 12/24 | 20 |
Выходной ток лог.0 для DEF, SEF, мА | 4/8 | 20 |
Входной ток лог.0 мкА | 200 | 20 |
Ток потребления, мА | -113-180 | |
Задержки распространения (нс) | ||
От DB до CB = L-->H | -31-65 | -22 |
От DB до CB = H-->L | -45-65 | -20 |
От S1 _/~ до DEF = L-->H | -27-40 | -13 |
От S1 _/~ до SEF = L-->H | -20-30 | -13 |
От S0 ~\_ до CB,DB= Z-->H | -24-40 | -12 |
От S0 ~\_ до CB,DB= Z-->L | -30-45 | -12 |
От S0 _/~ до CB,DB= H-->Z | -43-65 | -15 |
От S0 _/~ до CB,DB= L-->Z | -31-65 | -15 |
Козак Виктор Романович, Новосибирск, 11-июня-2014 г.
|
|
|