Козак Виктор Романович, Новосибирск, 7-июня-2014 г.
|
|
|
| Транзистор |
|
| 2П101 | для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением |
| КП102 | для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением |
| 2П103 2П103-9 |
для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением |
| 2ПС104 | для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением |
| 2П201 | для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением |
| 2ПС202 | для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением |
| КПС203 | для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением |
| КП301 | для применения во входных каскадах малошумящих усилителей и нелинейных малосигнальных схемах с высоким входным сопротивлением |
| КП302 | для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах |
| КП303 | предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой (Д, Е, И) и низкой (А, Б, В, Ж) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г предназначены для применения в зарядочувствительных усилител ях и других схемах ядерной спектрометрии |
| КП304 | предназначены для применения в переключающих и усилительных схемах с высоким входным сопротивлением |
| 2П305 | предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением |
| КП306 | предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением |
| КП307 | предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП307Ж предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других схемах ядерной спектрометрии |
| 2П308-9 | предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока (А, Б, В), в переключающих схемах и схемах коммутаторов (Г, Д) с высоким входным сопротивлением. |
| КП310 | для применения в приемно-передающих устройствах сверхвысокочастотного диапазона |
| КП312 | предназначены для применения во входных каскадах усилителей и преобразователей сверхвысокочастотного диапазона |
| КП313 | предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением |
| КП314 | для применения в охлаждаемых каскадах предусилителей устройств ядерной спектрометрии |
| КПС315 | для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением |
| КПС316 | для работы во входных каскадах дифференциальных усилителей, балансных схем различного назначения с высоким входным сопротивлением |
| 3П320-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц |
| 3П321-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц |
| КП322 | тетрод на основе p-n перехода для усилительных и смесительных каскадов на частотах до 400 МГц |
| КП323-2 | транзистор с p-n переходом для входных каскадов предварительных малошумящих предварительных усилителей низкой и высокой частот (до 400 МГц) |
| 3П324-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц |
| 3П325-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для СВЧ устройств с малым уровнем шума, а также для фотоприемных устройств с малым уровнем собственных шумов |
| 3П326-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 17.4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей |
| КП327 | МОП тетрод с n-каналом и затворами, защищенными диодами, для селекторов телевизионных каналов метровых и дециметровых волн |
| 3П328-2 | арсенидогаллиевые полевые двухзатворные транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей |
| КП329 | для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением |
| 3П330-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 25 ГГц (3П330А-2, 3П330Б-2) и 17.4 ГГц (3П330В-2) для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей |
| 3П331-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 10 ГГц для применения в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном |
| 2П332 | полевой p-канальный транзистор для переключающих и усилительных устройств |
| 2П333 | полевой n-канальный транзистор для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением |
| 2П335-2 | для усилительных устройств |
| 2П336-1 | для переключающих и усилительных устройств |
| 2П337-Р | транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением на частотах до 400 МГц |
| 2П338-Р1 | транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением |
| 3П339-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частотах 8 и 17.4 ГГц для применения в малошумящих усилителях, в усилителях с расширенным динамическим диапазоном и в широкополосных усилителях |
| 2П341 | транзистор с p-n переходом для входных каскадов малошумящих усилителей в диапазоне частот 20 Гц - 500 МГц |
| КП342 | для переключающих устройств |
| 3П343-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей |
| 3П344-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей |
| 3П345-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для применения в фотоприемных устройствах с малым уровнем собственных шумов |
| КП346-9 | МОП n-канальный двухзатворный транзистор с затворами, защищенными диодами, для селекторов каналов ТВ приемником (А,Б- для дециметровых волн, В- для метровых волн) |
| 2П347-2 | n-канальный двухзатворный транзистор для входных каскадов радиоприемных устройств |
| КП350 | предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразовательных каскадах сверхвысокой частоты (до 700 МГц) |
| КП351 | транзисторы с барьером Шоттки с двумя затворами (3П351А-2) и с одним затвором (3П351А1-2), предназначены для применения в малошумящих усилителях, смесителях и других устройствах в сантиметровом диапазоне |
| КП365А | BF410C n-канальный транзистор |
| КП382А | BF960 двухзатворный полевой транзистор селекторов каналов ЦТ |
| КП501А | ZVN2120 высоковольтный полевой МОП-транзистор, используемый в качестве ключа для аналоговых средств связи |
| КП601 2П601-9 |
полевые транзисторы с диффузионным затвором и n-каналом, работа во входных и выходных каскадах усилителей и преобразователей частоты |
| АП602-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-12 ГГц |
| 3П603-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц |
| 3П604-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-18 ГГц |
| 3П605-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом, работа в малошумящих усилителях и усилителях
с расширенным динамическим диапазоном |
| 3П606-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц |
| 3П607-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 10 ГГц |
| 3П608-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в выходных каскадах усилителей и генераторов |
| КП701 | полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств с частотой переключения до 1 МГц |
| КП702 | полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов |
| КП703 | полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов |
| КП704 | полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в выходных каскадах оконечных видеоусилителей многоцветных графических дисплеев, во вторичных источниках энергопитания, в устройствах коммутации электрических цепей |
| КП705 | полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах |
| КП706 | полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах |
| КП709 | полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках электропитания ТВ приемников четвертого и пятого поколений, переключающих и импульсных устройствах радиоэлектронной аппар атуры, устройствах электропривода. Аналог BUZ90, BUZ90A Siemens. |
| КП712 | полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для работы в импульсных устройствах |
| КП717Б | IRF350 МОП-транзистор с 400 В, 0.3 Ом |
| КП718А | BUZ45 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом |
| КП718Е1 | IRF453 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом |
| КП722А | BUZ36 МОП-транзистор с 200 В, 0.12 Ом |
| КП723А | IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом |
| КП723Б | IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом |
| КП723В | IRF45 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом |
| КП724Г | IRF42 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом |
| КП724А | MTP6N60 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом |
| КП724Б | IRF842 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом |
| КП725А | TPF450 МОП-транзистор с 500 В, 0.4 Ом |
| КП726А | BUZ90 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом |
| КП728А | МОП-транзистор с 800 В, 3.0 Ом |
| КП801 | полевые транзисторы p-n переходом для применения в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры |
| КП802 | полевые транзисторы p-n переходом работа в ключевых схемах преобразователей постоянного напряжения в качестве быстродействующего коммутатора |
| КП803 | полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей и генераторов |
| КП804 | полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для быстродействующих импульсных схем |
| КП805 | полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для построения источников вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, работающих от промышленной сети переменного тока с частотой 50 Гц и напряжением 220 В и для других устройств преобразования электрической энергии |
| КП809 | МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях |
| КП810 | прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности |
| КП812 | полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания, регуляторов, усилителей звуковой частоты |
| КП813 | МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях |
| КП814 | полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания |
| КП901 | полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн (до 100 МГц) |
| КП902 | полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в приемно-передающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц |
| КП903 | полевые транзисторы p-n переходом для применения в приемно-передающих и переключающих устройствах в диапазоне частот до 30 МГц |
| КП904 | полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных, преобразовательных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн |
| КП905 | полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц |
| КП907 | полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона |
| КП908 | полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 2.25 ГГц |
| КП909 | полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах в непрерывном и импульсном режимах на частотах до 400 МГц |
| АП910-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц |
| КП911 | полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах |
| КП912 | полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных устройствах, усилителях и генераторах |
| КП913 | полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц при напряжении питания до 45 В |
| 2П914 | полевой транзистор с p-n переходом д для применения в усилителях, преобразователях и генераторах высокой частоты, а также в переключающих устройствах |
| 3П915-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц |
| КП918 | полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1 ГГц, а также для быстродействующих переключающих устройств |
| КП920 | полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц, а также для быстродействующих переключающих устройств |
| КП921 | полевые транзисторы с изолированным затвором, предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах |
| 2П922 2П922-1 |
полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом, предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, быстродействующ их переключающих и импульсных устройствах, а также в стабилизаторах и преобразователях напряжения |
| КП923 | полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах, в линейных усилительных устройствах на частоты до 1 ГГц |
| 3П925-2 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 3.7-4.2 ГГц (3П925А) и 4.3-4.8 ГГц (3П925Б) в тракте с волновым сопротивлением 50 Ом и содержит внутренние соглассующие цепи |
| 2П926 | полевые транзисторы для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых и линейных устройств |
| 3П927 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с n-каналом для работы в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частот ы в диапазоне частот 1-18 ГГц |
| 2П928 | два МОП транзистора с n-каналом и общим истоком, генераторные, предназначены для применения в усилителях мощности и генераторах |
| 3П930 | арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в диапазоне частот 5.7-6.3 ГГц |
| КП932 | высоковольтный транзистор для работы в каскадах видеоусилителей цветных дисплеев |
| КП933 | два МДП транзистора с n-каналом и общим истоком для работы в линейных и широкополосных усилительных устройствах и автогенераторах с высокой стабильностью частоты (для усиления и генерирования сигналов с частотой до 1 ГГц ) |
| КП934 | транзисторы со статической индукцией и n-каналом предназначенные для применения в источниках вторичного электропитания и в высоковольтных ключевых устройствах |
| КП937 | переключательные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях напряжения, системах электропривода, импульсных генераторах электроискровых обрабат ывающих комплексов |
| КП938 | переключательные высоковольтные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, для питания двигателей постоянного и переменного тока, в мощных коммутаторах, усилителях низкой частоты |
| 2П941 | для генерирования сигналов и усиления мощности в радиоэлектронных схемах с рабочей частотой до 400-600 МГц при напряжении питания 12 В |
| КП944 | МДП транзистор с p-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках |
| КП945 | МДП транзистор с n-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках |
| КП946 | прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности |
| КП948 | прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности |
| КП953 | прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности |
| КП955 | прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности |
|
Козак Виктор Романович, Новосибирск, 7-июня-2014 г.
|
|
|
|
|